SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

Вытворца

Vishay / Siliconix

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 N-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Standard
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    20V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    800mA (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    280mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.5V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    1.15nC @ 4.5V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    75pF @ 10V
  • магутнасць - макс
    1.5W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • пакет прылады пастаўшчыка
    SC-70-6

SQ1912EH-T1_GE3 Запытаць прапанову

У наяўнасці 22657
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.46000
Мэтавая цана:
Усяго:0.46000

Тэхнічны ліст