SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Вытворца

Vishay / Siliconix

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    TrenchFET® Gen III
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 P-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Standard
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    20V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    6A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    20.1mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    42nC @ 10V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    2565pF @ 10V
  • магутнасць - макс
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PowerPAK® 1212-8 Dual

SIS903DN-T1-GE3 Запытаць прапанову

У наяўнасці 20218
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.03000
Мэтавая цана:
Усяго:1.03000

Тэхнічны ліст