SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Вытворца

Vishay / Siliconix

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    P-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    12 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    12A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    1.5V, 4.5V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    29mOhm @ 6.7A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    57 nC @ 8 V
  • vgs (макс.)
    ±8V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    1800 pF @ 10 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • пакет / чахол
    PowerPAK® SC-70-6

SIA413DJ-T1-GE3 Запытаць прапанову

У наяўнасці 21287
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.98000
Мэтавая цана:
Усяго:0.98000

Тэхнічны ліст