SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Вытворца

Vishay / Siliconix

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 P-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Logic Level Gate
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    60V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    3.2A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    64mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    40nC @ 10V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    -
  • магутнасць - макс
    1.5W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PowerPAK® SO-8 Dual

SI7949DP-T1-GE3 Запытаць прапанову

У наяўнасці 12532
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.72000
Мэтавая цана:
Усяго:1.72000

Тэхнічны ліст