IRFI820GPBF

IRFI820GPBF

Вытворца

Vishay / Siliconix

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    500 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    2.1A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    3Ohm @ 1.3A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    24 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    360 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    30W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-220-3
  • пакет / чахол
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRFI820GPBF Запытаць прапанову

У наяўнасці 11117
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
2.92000
Мэтавая цана:
Усяго:2.92000

Тэхнічны ліст