Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Tray
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  GaNFET (Gallium Nitride)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  650 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  6.5A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  8V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  312mOhm @ 5A, 8V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.6V @ 500µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  9.6 nC @ 8 V
• vgs (макс.)
  ±18V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  760 pF @ 400 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  21W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  3-PQFN (8x8)
• пакет / чахол
  3-PowerDFN