-
-
Нізкая цана праз Factory-Direct
Працуйце непасрэдна з фабрыкай электронікі, каб пазбавіцца ад пасярэднікаў. Новы арыгінал па нізкай і зніжанай цане
-
Бяспечная і якасная надзейнасць
Сістэма страхавання якасці для цудоўнай якасці прадукцыі. Своечасовае, кожны раз прадастаўленне якасных кампанентаў.
-
Больш за 15 мільёнаў запасаў
Больш за 100 найбуйнейшых сусветных вытворцаў, больш за 15 мільёнаў запасаў. Даступныя запасы, якія можна набыць непасрэдна са зніжкай.
-
Дружалюбнае абслугоўванне кліентаў
Універсальнае рашэнне, адаптаванае да вашых унікальных патрабаванняў. Падтрымка вэб-сайта на 12 мовах, больш зручнасці і хуткасці паслуг.
RN2130MFV,L3F
Вытворца
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Катэгорыя прадукту
транзістары - біпалярныя (bjt) - адзінкавыя, папярэдне змешчаныя
Апісанне
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Тэхнічныя характарыстыкі
-
серыял-
-
пакетTape & Reel (TR)
-
статус часткіActive
-
транзістарнага тыпуPNP - Pre-Biased
-
ток - калектар (ic) (макс.)100 mA
-
напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)50 V
-
рэзістар - база (r1)100 kOhms
-
рэзістар - база эмітэра (r2)100 kOhms
-
узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce100 @ 10mA, 5V
-
насычэнне vce (макс.) @ ib, ic300mV @ 500µA, 5mA
-
ток - адсечка калектара (макс.)100nA (ICBO)
-
частата - пераход-
-
магутнасць - макс150 mW
-
тып мантажуSurface Mount
-
пакет / чахолSOT-723
-
пакет прылады пастаўшчыкаVESM
