RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Вытворца

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - адзінкавыя, папярэдне змешчаныя

Апісанне

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    NPN - Pre-Biased
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100 mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50 V
  • рэзістар - база (r1)
    22 kOhms
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    22 kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    70 @ 10mA, 5V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA
  • частата - пераход
    -
  • магутнасць - макс
    150 mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    SOT-723
  • пакет прылады пастаўшчыка
    VESM

RN1103MFV,L3F Запытаць прапанову

У наяўнасці 59788
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.17000
Мэтавая цана:
Усяго:0.17000

Тэхнічны ліст

Спампаваць