HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Вытворца

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - масівы

Апісанне

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    NPN, PNP
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    150mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    100nA (ICBO)
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    200 @ 2mA, 6V
  • магутнасць - макс
    200mW
  • частата - пераход
    150MHz
  • Працоўная тэмпература
    125°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • пакет прылады пастаўшчыка
    US6

HN1B04FU-GR,LF Запытаць прапанову

У наяўнасці 165018
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.06095
Мэтавая цана:
Усяго:0.06095

Тэхнічны ліст

Спампаваць