Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  1200 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  31A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  18V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  104mOhm @ 10A, 18V
• vgs(th) (макс.) @ id
  5.6V @ 5mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  60 nC @ 18 V
• vgs (макс.)
  +22V, -4V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  785 pF @ 800 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  165W
• Працоўная тэмпература
  175°C (TJ)
• тып мантажу
  Through Hole
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-247-4L
• пакет / чахол
  TO-247-4