RSD150N06TL

RSD150N06TL

Вытворца

ROHM Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • статус часткі
    Not For New Designs
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    60 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    15A (Ta)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    40mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 1mA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    18 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    930 pF @ 10 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    20W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    CPT3
  • пакет / чахол
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RSD150N06TL Запытаць прапанову

У наяўнасці 37968
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.53900
Мэтавая цана:
Усяго:0.53900

Тэхнічны ліст