RGTH00TS65GC11

RGTH00TS65GC11

Вытворца

ROHM Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - igbts - адзінкавыя

Апісанне

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • тып igbt
    Trench Field Stop
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    650 V
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    85 A
  • ток - калектар імпульсны (icm)
    200 A
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • магутнасць - макс
    277 W
  • пераключэнне энергіі
    -
  • тып уводу
    Standard
  • зарад варот
    94 nC
  • td (укл./выкл.) пры 25°c
    39ns/143ns
  • стан выпрабаванняў
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • час зваротнага аднаўлення (trr)
    -
  • Працоўная тэмпература
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет / чахол
    TO-247-3
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-247N

RGTH00TS65GC11 Запытаць прапанову

У наяўнасці 8379
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
3.96000
Мэтавая цана:
Усяго:3.96000

Тэхнічны ліст