DTD743EMT2L

DTD743EMT2L

Вытворца

ROHM Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - адзінкавыя, папярэдне змешчаныя

Апісанне

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Not For New Designs
  • транзістарнага тыпу
    NPN - Pre-Biased
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    200 mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    30 V
  • рэзістар - база (r1)
    4.7 kOhms
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    4.7 kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    115 @ 100mA, 2V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA
  • частата - пераход
    260 MHz
  • магутнасць - макс
    150 mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    SOT-723
  • пакет прылады пастаўшчыка
    VMT3

DTD743EMT2L Запытаць прапанову

У наяўнасці 40159
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.51000
Мэтавая цана:
Усяго:0.51000

Тэхнічны ліст