Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  15 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  1.27A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  2.7V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.5V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  5.45 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  +2V, -15V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  -
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  504mW (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  8-TSSOP
• пакет / чахол
  8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)