Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  TrenchMOS™
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  55 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2V @ 1mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±13V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  SC-73
• пакет / чахол
  TO-261-4, TO-261AA