NVMFS5C646NLAFT1G

NVMFS5C646NLAFT1G

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    Automotive, AEC-Q101
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    60 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    20A (Ta), 93A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    4.7mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    33.7 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    2.164 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • пакет / чахол
    8-PowerTDFN, 5 Leads

NVMFS5C646NLAFT1G Запытаць прапанову

У наяўнасці 24135
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.43000
Мэтавая цана:
Усяго:0.43000

Тэхнічны ліст