NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

N-CHANNEL POWER MOSFET

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    2 N-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Logic Level Gate
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    40V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    4.6A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    34mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    30nC @ 10V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    900pF @ 32V
  • магутнасць - макс
    1.29W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет прылады пастаўшчыка
    8-SOIC

NTMD6N04R2G Запытаць прапанову

У наяўнасці 36665
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.28000
Мэтавая цана:
Усяго:0.28000

Тэхнічны ліст