Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Obsolete
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  20 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  3.9A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  46mOhm @ 3.9A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.2V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  -
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  710 pF @ 5 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  -
• Працоўная тэмпература
  -
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  ChipFET™
• пакет / чахол
  8-SMD, Flat Lead