NTD4856NT4G

NTD4856NT4G

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    25 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    13.3A (Ta), 89A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    4.7mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    27 nC @ 4.5 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    2.241 pF @ 12 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    1.33W (Ta), 60W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    DPAK
  • пакет / чахол
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD4856NT4G Запытаць прапанову

У наяўнасці 44338
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.23000
Мэтавая цана:
Усяго:0.23000

Тэхнічны ліст