Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• кіраваная канфігурацыя
  Half-Bridge
• тып канала
  Independent
• колькасць драйвераў
  2
• тып варот
  IGBT, N-Channel MOSFET
• напружанне - харчаванне
  10V ~ 20V
• лагічнае напружанне - віл, віх
  0.8V, 2.9V
• ток - пік выхаду (крыніца, паглынальнік)
  200mA, 350mA
• тып уводу
  Non-Inverting
• высокае бакавое напружанне - макс (загрузка)
  600 V
• час нарастання/падзення (тып)
  150ns, 50ns
• Працоўная тэмпература
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет / чахол
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• пакет прылады пастаўшчыка
  8-SOIC