IPP60R950C6XKSA1

IPP60R950C6XKSA1

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    CoolMOS™
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    600 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    4.4A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    950mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 130µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    13 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    280 pF @ 100 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    37W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PG-TO220-3
  • пакет / чахол
    TO-220-3

IPP60R950C6XKSA1 Запытаць прапанову

У наяўнасці 24668
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.42000
Мэтавая цана:
Усяго:0.42000

Тэхнічны ліст