Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  CoolMOS™ E6
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  600 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  7.3A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  600mOhm @ 2.4A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3.5V @ 200µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  20.5 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  440 pF @ 100 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  63W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-252
• пакет / чахол
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63