FQPF4N80

FQPF4N80

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    QFET®
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    800 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    2.2A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    3.6Ohm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    5V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    880 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    43W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-220F
  • пакет / чахол
    TO-220-3 Full Pack

FQPF4N80 Запытаць прапанову

У наяўнасці 25080
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.83000
Мэтавая цана:
Усяго:0.83000

Тэхнічны ліст