FP50R12KT4GB15BOSA1

FP50R12KT4GB15BOSA1

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - igbts - модулі

Апісанне

FP50R12 - IGBT MODULE

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Active
  • тып igbt
    Trench Field Stop
  • канфігурацыя
    Three Phase Inverter
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    1.2 V
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    50 A
  • магутнасць - макс
    280 W
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 50A
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    1 mA
  • уваходная ёмістасць (cies) @ vce
    2.8 nF @ 25 V
  • увод
    Standard
  • Тэрмістар ntc
    Yes
  • Працоўная тэмпература
    -40°C ~ 150°C
  • тып мантажу
    Chassis Mount
  • пакет / чахол
    Module
  • пакет прылады пастаўшчыка
    Module

FP50R12KT4GB15BOSA1 Запытаць прапанову

У наяўнасці 1390
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
94.33000
Мэтавая цана:
Усяго:94.33000

Тэхнічны ліст