Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  PowerTrench®
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  20 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  2.2A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  2.5V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  150mOhm @ 2.2A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.5V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  5.2 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±12V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  369 pF @ 10 V
• асаблівасць fet
  Schottky Diode (Isolated)
• рассейваная магутнасць (макс.)
  960mW (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  SuperSOT™-6
• пакет / чахол
  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6