BSO211P

BSO211P

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

P-CHANNEL POWER MOSFET

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    OptiMOS™
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 P-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Logic Level Gate
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    20V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    4.7A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    67mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.2V @ 25µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    23.9nC @ 4.5V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    920pF @ 15V
  • магутнасць - макс
    2W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет прылады пастаўшчыка
    P-DSO-8

BSO211P Запытаць прапанову

У наяўнасці 35429
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.29000
Мэтавая цана:
Усяго:0.29000