Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Tray
• статус часткі
  Active
• тып дыёда
  Silicon Carbide Schottky
• напружанне - зваротны пастаянны ток (vr) (макс.)
  1200 V
• ток - сярэдні выпрамлены (io)
  61A (DC)
• напружанне - наперад (vf) (max) @ if
  1.75 V @ 40 A
• хуткасць
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• час зваротнага аднаўлення (trr)
  0 ns
• ток - зваротная ўцечка @ вр
  200 µA @ 1200 V
• ёмістасць @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет / чахол
  Die
• пакет прылады пастаўшчыка
  Die
• рабочая тэмпература - сплаў
  -55°C ~ 175°C