NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G

Вытворца

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - масівы

Апісанне

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    2 NPN (Dual)
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA (ICBO)
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    120 @ 1mA, 6V
  • магутнасць - макс
    500mW
  • частата - пераход
    180MHz
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    SOT-563, SOT-666
  • пакет прылады пастаўшчыка
    SOT-563

NSVEMX1DXV6T1G Запытаць прапанову

У наяўнасці 87496
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.11544
Мэтавая цана:
Усяго:0.11544

Тэхнічны ліст