FDC645N

FDC645N

Вытворца

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    PowerTrench®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    30 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    5.5A (Ta)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    26mOhm @ 6.2A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    21 nC @ 4.5 V
  • vgs (макс.)
    ±12V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    1460 pF @ 15 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    1.6W (Ta)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    SuperSOT™-6
  • пакет / чахол
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC645N Запытаць прапанову

У наяўнасці 32103
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.64000
Мэтавая цана:
Усяго:0.64000

Тэхнічны ліст