Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  TrenchMOS™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  40 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  200A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  4.5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  1.8mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.05V @ 1mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  109 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  7966 pF @ 20 V
• асаблівасць fet
  Schottky Diode (Body)
• рассейваная магутнасць (макс.)
  194W (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  LFPAK56, Power-SO8
• пакет / чахол
  SC-100, SOT-669