PSMN1R5-25YL,115

PSMN1R5-25YL,115

Вытворца

Nexperia

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    TrenchMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    25 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    100A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    1.5mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.15V @ 1mA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    76 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    4830 pF @ 12 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    109W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    LFPAK56, Power-SO8
  • пакет / чахол
    SC-100, SOT-669

PSMN1R5-25YL,115 Запытаць прапанову

У наяўнасці 16496
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.29000
Мэтавая цана:
Усяго:1.29000

Тэхнічны ліст