Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  TrenchMOS™
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  60 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  190mA (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  4.5Ohm @ 100mA, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.1V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  0.43 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  20 pF @ 10 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  265mW (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-236AB
• пакет / чахол
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3