Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Active
• тып igbt
  -
• канфігурацыя
  Full Bridge
• напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
  3000 V
• ток - калектар (ic) (макс.)
  34 A
• магутнасць - макс
  150 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• ток - адсечка калектара (макс.)
  -
• уваходная ёмістасць (cies) @ vce
  -
• увод
  Standard
• Тэрмістар ntc
  No
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет / чахол
  24-SMD Module, 9 Leads
• пакет прылады пастаўшчыка
  24-SMPD