Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Active
• кіраваная канфігурацыя
  Low-Side
• тып канала
  Independent
• колькасць драйвераў
  2
• тып варот
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• напружанне - харчаванне
  4.5V ~ 35V
• лагічнае напружанне - віл, віх
  0.8V, 3V
• ток - пік выхаду (крыніца, паглынальнік)
  2A, 2A
• тып уводу
  Inverting, Non-Inverting
• высокае бакавое напружанне - макс (загрузка)
  -
• час нарастання/падзення (тып)
  7.5ns, 6.5ns
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет / чахол
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• пакет прылады пастаўшчыка
  8-SOIC-EP