Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Active
• тып igbt
  -
• канфігурацыя
  Single
• напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
  1700 V
• ток - калектар (ic) (макс.)
  75 A
• магутнасць - макс
  625 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic
  6V @ 15V, 42A
• ток - адсечка калектара (макс.)
  50 µA
• уваходная ёмістасць (cies) @ vce
  7.4 nF @ 25 V
• увод
  Standard
• Тэрмістар ntc
  No
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Chassis Mount
• пакет / чахол
  SOT-227-4, miniBLOC
• пакет прылады пастаўшчыка
  SOT-227B