Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Obsolete
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  20 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  60A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  4.5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  8.4mOhm @ 15A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.55V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  1190 pF @ 10 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  48W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тып мантажу
  Through Hole
• пакет прылады пастаўшчыка
  IPAK (TO-251)
• пакет / чахол
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA