MBR60040CT

MBR60040CT

Вытворца

GeneSiC Semiconductor

Катэгорыя прадукту

дыёды - выпрамнікі - масівы

Апісанне

DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Active
  • канфігурацыя дыёда
    1 Pair Common Cathode
  • тып дыёда
    Schottky
  • напружанне - зваротны пастаянны ток (vr) (макс.)
    40 V
  • ток - сярэдні выпрамлены (io) (на дыёд)
    300A
  • напружанне - наперад (vf) (max) @ if
    750 mV @ 300 A
  • хуткасць
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • час зваротнага аднаўлення (trr)
    -
  • ток - зваротная ўцечка @ вр
    1 mA @ 20 V
  • рабочая тэмпература - сплаў
    -55°C ~ 150°C
  • тып мантажу
    Chassis Mount
  • пакет / чахол
    Twin Tower
  • пакет прылады пастаўшчыка
    Twin Tower

MBR60040CT Запытаць прапанову

У наяўнасці 1435
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
100.12600
Мэтавая цана:
Усяго:100.12600

Тэхнічны ліст