DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Вытворца

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    60 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    28.9A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    8.5mOhm @ 13.5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    31.8 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    2107 pF @ 30 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    1.9W (Ta)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    8-SO
  • пакет / чахол
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMT68M8LSS-13 Запытаць прапанову

У наяўнасці 45912
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.22250
Мэтавая цана:
Усяго:0.22250

Тэхнічны ліст