DDTA115GE-7-F

DDTA115GE-7-F

Вытворца

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - адзінкавыя, папярэдне змешчаныя

Апісанне

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    PNP - Pre-Biased
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100 mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50 V
  • рэзістар - база (r1)
    -
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    100 kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    82 @ 5mA, 5V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA (ICBO)
  • частата - пераход
    250 MHz
  • магутнасць - макс
    150 mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    SOT-523
  • пакет прылады пастаўшчыка
    SOT-523

DDTA115GE-7-F Запытаць прапанову

У наяўнасці 164920
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.06095
Мэтавая цана:
Усяго:0.06095

Тэхнічны ліст

Спампаваць